中国新歌声

IT之家注意到，在 Hot Chips 2026 大会上，SK 海力士封装工程副总裁 Jaesik Lee 发表了题为“高带宽内存的先进封装”（Advanced Packaging for High-Bandwidth Memory）的简报，阐述了公司计划如何利用先进封装技术加速其 HBM 路线图。想起一个画面：2023年9月，阿尔卑斯山下小镇霞慕尼，UTMB的终点拱门下，申加升以中国选手在CCC组别最好成绩过线后、拿到亚军后，没有振臂高呼，而是先弯下腰抱起了等在路边的儿子，妻子Zoe站在一旁，眼泛泪光。

B | 那温馨的一幕被镜头捕捉，成了让人印象深刻的一幕。该公司首先介绍了 HBM 目前的制造方式。这种中国越野跑选手越来越能展现的集先锋、坚毅、浪漫、温情于一身的气质，跟Salomon是一致的。HBM 结构由 3D 堆叠结构组成，通过 TSV（硅通孔）将多个核心芯片（DRAM IC）连接到基底裸片（base die）。

C | HBM 目前最高可达 16 层，即 16-Hi 堆叠。HBM 与 GPU 是独立的芯片，但通过 2.5D 封装安装在同一个硅中介层上。每个 HBM 模块还通过硅中介层包含 1024 个 IO 和 16 个通道，这些 IO 通过 PHY 将 HBM 堆叠连接到 XPU。HBM 作为 DRAM 解决方案之所以重要，是因为它节省空间、功耗和运营成本。典型的 GDDR6 方案可提供 24GB 容量和 768GB/s 带宽，而配备四个堆叠的 HBM3E 方案可节省多达一半的空间，同时提供高达 144GB 容量和 4TB/s 带宽。

D | SK 海力士目前的路线图将 HBM4 作为顶级产品，DRAM 密度高达 24Gb，容量最高达 36GB，总计 2048 个 IO 位，IO 速度最高 8Gbps，带宽达 2048GB/s。能被国际顶级运动品牌看上，当然是申加升努力的回报。

HBM4 的封装高度和尺寸都有所增加，集成的 TSV 和微凸点也比 HBM3E 更多。21岁从宁夏专业队退出时，申加升的运动员生涯似乎走到了尽头，没人知道他是谁。命运的转折发生在一场贵州的越野赛上——他路过参赛，拿了亚军，还有一笔奖金。具体成果如下：带宽超过 2TB/s功耗效率提升 40% 以上相比 HBM3E 耐热性提升 14% 以上容量最高 48GB（12-Hi 已量产，16-Hi 正在认证中）Z 轴高度 775 微米，尺寸 12.8x11 平方毫米16,148 个底部微凸点超过 2 万个 TSV

目前主要有两种 HBM 封装技术：热压键合 + 非导电膜（TC+NCF）和整体回流 + 模塑底部填充（MR+MUF）。TC+NCF 对芯片翘曲问题有更好的抵抗力，但热阻更高、生产率较低。更关键的是他认识了新朋友祁敏。两个年轻人后来在大理租房子，围着苍山训练。MR+MUF 生产率更高、热阻更低，但更容易出现芯片翘曲，且在间隙填充方面存在缺陷。

E | 那时候他们比较拮据，维持日常生活都靠很寒酸的比赛奖金。

F | 山河湖海见证了他们熬过最艰难的岁月。SK 海力士还重点介绍了其 HBM 工艺流程，包括从晶圆厂到客户系统的六个关键阶段。

SK 海力士在 HBM 封装中集成了四项关键技术，包括：TSV（硅通孔）形成晶圆减薄微凸点形成芯片堆叠 / 底部填充先进的 MR-MUF 已应用于 SK 海力士的 16-Hi HBM3E 方案，并引入了两项新技术：翘曲控制和细间距互连与窄间隙填充。2017年，申加升比了35场比赛，拿了19个冠军。这个数字放在今天依然惊人。

G | 总封装高度增至 775 微米，芯片厚度缩减至 0.9 倍，间隙高度缩减至 0.5 倍，凸点间距缩减至 0.9 倍。环贡嘎山百公里，他的首个百公里，11小时04秒，刷新赛道纪录。展望未来，还有一些关键挑战需要解决。

H | 高黎贡山125公里，13小时36分11秒，战胜日本选手。首先是随着带宽需求激增带来的 HBM 功耗上升，其次是散热问题以及 TSV 区域面积。他像一匹野马从云南的大山里冲出来，速度之快让整个中国越野圈都来不及反应。随着 TSV 数量增长，尽管 TSV 间距不断缩小，但所占面积仍在持续增加。随后，他在海外赛场的持续输出让世界看到了。2019年意大利Lavaredo亚军，2022年艾格峰超级越野赛冠军，同年的UTMB CCC组第4名，2023年西部100第4名——刷新了中国选手在该赛事的最佳成绩，然后是UTMB CCC组亚军。此外，每两代带宽近乎翻倍，给现有工艺和封装技术带来了 2.2 倍的热负担。因此，SK 海力士正在研究混合键合（Hybrid Bonding）等未来技术方案，以突破 16-Hi 堆叠限制，通过更窄的间距提供更高性能，并通过更高的导电性实现更好的散热效率。

I | 几年时间里，从陪练到国际精英，从“奖牌收割机”到ITRA表现分突破900分大关，申加升完成了一个中国越野跑运动员几乎不可能完成的进化。当然，申加升也跑到了很多国际一线品牌面前。

J | SK 海力士展示的数据显示，与 MR-MUF 工艺相比，混合键合可使核心芯片厚度增加 24%，TSV 间距小于 18 微米。即使堆叠层数增加，混合键合的热阻仍可降低 35%。与三星的 HPB（散热路径模块）类似，SK 海力士正在开发自己的局部热点缓解技术，名为 I-HBM，该技术在 HBM D2D PHY 区域（热点附近）嵌入高导热且电绝缘的冷却组件，打造专用散热路径，可额外降低 30% 以上的热阻。展望未来，SK 海力士计划通过 TSV 数量翻倍、结合逻辑工艺集成提升 IO 速度来增加带宽，同时利用最新优化的逻辑代工工艺解决功耗 / PDN（电源分配网络）挑战，通过“无处不在”的电源 TSV 大幅改善 PDN。HBM 技术对更高功率密度、带宽和堆叠高度的持续追求，带来了显著的热学、力学和封装挑战，其驱动因素包括更厚的氧化层、更密集的 TSV 和不断攀升的引脚速度。MLMO、优化的微凸点、新兴的混合键合（用于改善热导率、工艺窗口和更细的间距）以及 I-HBM 等热点解决方案正在积极应对这些问题。如果平时有关注他，就能感受到他身上有很多明星运动员不容易具备的风格。他自称“大众申”，低调、随和、开朗，充满活人感，不吝啬与业余跑者交流。还多次参与国内越野跑赛事的规划工作。然而，随着堆叠向 16-20 层高度演进，架构向与逻辑芯片更紧密的 3D 集成方向发展，成功将要求设计、材料、客户工艺和中介层技术之间更紧密的协同优化。这种接地气的姿态让他在跑圈拥有不错的口碑和号召力。

K | 中国越野跑在过去十年经历了从野蛮生长到阵痛洗牌的完整周期，申加升是为数不多既扛住了这个周期，又在国际赛场上持续输出成绩的运动员。他看起来不只是一位越野跑的竞争者，还是越野文化的传播者。自2008年进入中国市场以来，Salomon萨洛蒙——这个1947年创立于法国阿尔卑斯山麓的品牌，带着山地越野的基因，经过多年的质量口碑传播，逐渐在中国跑者心中建立了天然的信任感。Salomon在中国市场得到的回报是显而易见的：2025年，Salomon在大中华区的销售额同比增长43.4%，门店总数达到286家，全年净增近100家，销售上行迹象明显。

L | 行业内的持续合作对于满足未来工作负载对容量和带宽的需求仍然至关重要。该公司还在其 2.5D HBM 方案幻灯片中展示了英特尔 EMIB 封装技术，与 CoWoS-L、CoWoS-R 和 CoWoS-S 并列。当然，Salomon继续深耕中国市场的决心也很明显。

M | 有人总结了Salomon的打法：用精英运动员稳住专业口碑，用体验式门店抓住年轻人的注意力，用极具品质感又先锋的产品形象开拓市场，用自有赛事和奖金体系搭建完整的越野跑行业生态。

N | 值得注意的是，有传闻称英特尔和 SK 海力士将在存储领域成立合资公司。

o | 从2018年开始布局的黄金联赛，以及2025年推出的“灯塔计划”，展现了Salomon在中国的“野心”。SK 海力士还展示了不同的先进封装技术如何以不同方式对 HBM / 中介层施加应力。最后，SK 海力士着眼于未来的 3D 集成，这将使其能够在加速器之上堆叠 HBM，一旦先进逻辑和先进封装技术成熟，这将是人人都想实现的一步。黄金联赛以20-40公里的短距离赛道为主，高手比拼、高质量直播，被称为越野赛中的“F1”。

p | 这种赛制在降低参与门槛的同时，保留了越野跑最核心的竞技魅力。